EPM7128ELC84-15【宗天技术】VND7E050AJTR热销(今日推荐:2022已更新)本文导读：TTLChannelinputlogicInverting，Non-InvertingInputnegativevoltage（V）-5RatingAutomotiveUndervoltagelockout（Typ）4SOT-23（DBV）55mm^22.9x1.6符合汽车应用要求具有符合AEC-Q100标准的下列结果：符合汽车应用要求的器件温度1级：-40°C至125°C的环境运行温度范围器件人体放电模式（HBM）静电放电（ESD）分类等级2器件组件充电模式（CDM）ESD分类等级C6低成本栅极驱动器器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品4A峰值拉电流和灌电流对称驱动能够在输入上处理负电压（-5V）快速传播延迟（典型值13ns）快速上升和下降（典型值9ns和7ns）4.5V至18V单电源VDD欠压锁定（UVLO）期间输出保持低电平（确保上电和掉电时的刺脉冲运行）TTL和CMOS兼容逻辑阈值（与电源电压无关）针对高抗扰度的滞后逻辑阈值双输入设计（选择一个反向（IN-引脚）或者非反相（IN+引脚）驱动器配置）未使用的输入引脚可被用于启用或者禁用功能当输入引脚悬空时输出保持在低电平输入引脚大电压电平不受VDD引脚偏置电源电压的限制-40°C至140°C的运行温度范围5引脚DBV（小外形尺寸晶体管（SOT）-封装选项应用范围汽车开关模式电源直流到直流转换器针对数字电源控制器的伴随栅极驱动器器件太阳能、电机控制、不间断电源（UPS）用于新上市的宽带隙电源器件（例如GaN）的栅极驱动器Alltrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.符合汽车应用要求具有符合AEC-Q100标准的下列结果：符合汽车应用要求的器件温度1级：-40°C至125°C的环境运行温度范围器件人体放电模式（HBM）静电放电（ESD）分类等级2器件组件充电模式（CDM）ESD分类等级C6低成本栅极驱动器器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品4A峰值拉电流和灌电流对称驱动能够在输入上处理负电压（-5V）快速传播延迟（典型值13ns）快速上升和下降（典型值9ns和7ns）4.5V至18V单电源VDD欠压锁定（UVLO）期间输出保持低电平（确保上电和掉电时的刺脉冲运行）TTL和CMOS兼容逻辑阈值（与电源电压无关）针对高抗扰度的滞后逻辑阈值双输入设计（选择一个反向（IN-引脚）或者非反相（IN+引脚）驱动器配置）未使用的输入引脚可被用于启用或者禁用功能当输入引脚悬空时输出保持在低电平输入引脚大电压电平不受VDD引脚偏置电源电压的限制-40°C至140°C的运行温度范围5引脚DBV（小外形尺寸晶体管（SOT）-封装选项应用范围汽车开关模式电源直流到直流转换器针对数字电源控制器的伴随栅极驱动器器件太阳能、电机控制、不间断电源（UPS）用于新上市的宽带隙电源器件（例如GaN）的栅极驱动器Alltrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）开关。
BQ24060DRCRG4
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EPM7128ELC84-15【宗天技术】VND7E050AJTR热销(今日推荐:2022已更新)借助于固有的大大减少击穿电流的设计，UCC27517A-Q1能够灌、拉高峰值电流脉冲进入到电容负载，此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟（典型值为13ns）。UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。当VDD=12V时，UCC27517A-Q1可提供峰值为4A的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。
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EPM7128ELC84-15【宗天技术】VND7E050AJTR热销(今日推荐:2022已更新)UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）开关。借助于固有的大大减少击穿电流的设计，UCC27517A-Q1能够灌、拉高峰值电流脉冲进入到电容负载，此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟（典型值为13ns）。
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